8541 — Приборы полупроводниковые (например, диоды, транзисторы, преобразователи на основе полупроводников); фоточувствительные полупроводниковые приборы, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светодиоды (LED), собранные или не собранные с другими светодиодами (LED); пьезоэлектрические кристаллы в сборе

8541 Диоды, транзисторы и аналогичные полупроводниковые приборы; фоточувствительные полупроводниковые приборы, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светоизлучающие диоды (LED); пьезоэлектрические кристаллы в сборе (+): 8541 10 – диоды, кроме фотодиодов или светоизлучающих диодов (LED) – транзисторы, кроме фототранзисторов: 8541 21 – – мощностью рассеивания менее 1 Вт 8541 29 – – прочие 8541 30 – тиристоры, динисторы и тринисторы, кроме фоточувствительных приборов 8541 40 – приборы полупроводниковые фоточувствительные, включая фотогальванические элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели; светоизлучающие диоды (LED) 8541 50 – приборы полупроводниковые прочие 8541 60 – кристаллы пьезоэлектрические собранные 8541 90 – части

(А) ДИОДЫ, ТРАНЗИСТОРЫ И АНАЛОГИЧНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ Они определены в примечании 9 (а) к данной группе. Работа приборов данной категории основана на электронных свойствах некоторых "полупроводниковых" материалов. Основным свойством этих материалов является то, что при комнатной температуре их удельная проводимость имеет промежуточные значения между удельной проводимостью проводников (металлов) и диэлектриков. Они представляют собой некоторые руды (например, кристаллический галенит), четырехвалентные химические элементы (германий, кремний и т.д.) или комбинации химических элементов (например, трехвалентных и пятивалентных элементов, таких как арсенид галлия, антимонид индия). Полупроводниковые материалы, состоящие из четырехвалентного химического элемента, являются обычно монокристаллическими. Они используются не в чистом виде, а после очень слабого легирования (в соотношении, выра жаемом в частях на миллион) специальной примесью (легирующей примесью). Для четырехвалентного элемента примесью может быть пятивалентный химический элемент (фосфор, мышьяк, сурьма и т.д.) или трехвалентный элемент (бор, алюминий, галлий, индий и т.д.). Первый образует полупроводники n-типа с избытком электронов (отрицательно заряженные); последний образует полупроводники p-типа с дефицитом электронов, то есть в которых преобладают дырки (положительно заряженные). Полупроводниковые материалы на основе трех - и пятивалентных химических элементов также легируются. В полупроводниковых материалах, состоящих из руд, примеси, содержащиеся в природной руде, выполняют функции легирующих примесей. Полупроводниковые приборы этой категории обычно имеют один или более "переходов" между материалами полупроводника p-типа и n-типа.

Они включают: (I) Диоды, которые являются двухэлектродными приборами с одним p -n-переходом. Они позволяют проходить току в одном (прямом) направлении, но обладают очень большим сопротивлением в другом (обратном) направлении. Они используются для детектирования, выпрямления, коммутации и т.д. Главными типами диодов являются: сигнальные диоды, мощные выпрямительные диоды, стабилитроны, опорные диоды. (II) Транзисторы являются трех - или четырехэлектро дными приборами, предназначенными для усиления, генерирования или преобразования частоты электрических токов. Режим работы транзистора зависит от изменения удельного сопротивления между двумя электродами при приложении электрического поля к третьему электр оду. Прилагаемый сигнал управления или поле является более слабым, чем получаемый эффект, вызванный изменением сопротивления, и таким образом в результате получают эффект усиления. К транзисторам относятся: (1) Биполярные транзисторы, которые являются трехэлектродными приборами, состоящими из двух переходов диодного типа, транзисторное действие которых зависит как от положительных, так и отрицательных носителей заряда (поэтому и называемых биполярными). (2) Полевые транзисторы, также известные как структуры металл-оксид-полупроводники (МОП), которые могут иметь, а могут и не иметь перехода, но которые зависят от вызванного обеднения (или обогащения) имеющихся свободных носителей заряда между двумя электродами. Транзисторное воздействие в полевом транзисторе использует лишь один тип носителя заряда (поэтому они и называются униполярными). Паразитный диод, который формируется в кристалле МОП-транзисторов (также известных как МОППТ ), может действовать как обратный диод во время отключения индуктивной нагрузки. МОППТ, имеющие четыре электрода, называются тетродами. (3) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (БТИЗ), которые являются приборами с тремя электродами – затвор и два нагрузочных электрода (эмиттер и коллектор). Путем подачи соответствующего напряжения между затвором и эмиттером, осуществляется управление током в одном направлении, т.е. его можно включать и выключать. БТИЗ чипы могут быть совмещены с диодами в одном корпусе (составные БТИЗ) для защиты БТИЗ и обеспечения его функционирования в качестве транзистора. (III) Аналогичные полупроводниковые приборы. К "аналогичным" приборам, упоминаемым здесь, относятся полупроводниковые приборы, работа которых зависит от изменений удельного сопротивления при приложении электрического поля. Они включают: (1) Тиристоры, состоящие из четырех зон проводимости в полупроводниковых материалах (трех или более p -n-переходов), через которые проходит постоянный ток в заранее заданном направлении, когда импульс управления инициирует проводимость. Они используются в качестве управляемых выпрямителей, переключателей или усилителей и работают как два включенных навстречу друг другу комплементарных транзистора с общим коллектором. (2) Тринисторы (симметричные триодные тиристоры), имеющие пять областей с различ - ной проводимость ю в полупроводниковых материалах (четыре

p-n-перехода), через которые переменный ток проходит, когда импульс управления инициирует проводимость. (3) Динисторы, имеющие три области полярной проводимости в полупроводниковых материалах (два перехода p -n-типа) и используемые для получения импульсов, требуемых для работы тринистора. (4) Варакторы (или диоды переменной емкости). (5) Полевые приборы, например, гридисторы. (6) Приборы на эффекте Ганна. К этой категории, однако, не относятся полупроводниковые приборы, которые отличаются от вышеупомянутых тем, что их работа зависит, в первую очередь, от температуры, давления и т.д., такие как нелинейные полупроводниковые резисторы (терморезисторы, варисторы, магниторезисторы и т.д.) (товарная позиция 8533). Для фоточувствительных приборов, работа которых зависит от световых лучей (фотодиоды и т.д.), см. пункт (Б). Описанные выше приборы входят в данную товарную позицию независимо от того, представлены ли они собранными, то есть с их электродами, выводами или соединительными проводниками, или в корпусе (компоненты), несобранными (элементы) или даже в виде не разрезанных на кристаллы шайб (пластины). Однако природные полупроводниковые материалы (например, галенит) включаются в данную товарную позицию, лишь когда они собраны. В данную товарную позицию также не включаются химические элементы группы 28 (например, кремний и селен), легированные для использования в электронике в виде шайб, пластин или в аналогичных формах, независимо от того, полированы они или нет, покрыты однородным эпитаксиальным слоем или нет, при условии, что они не были селективно легированы или легированы методом диффузии для образования участков с различной проводимостью. (Б) ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ К этой категории относятся фоточувствительные полупроводниковые приборы, в которых воздействие видимых лучей, инфракрасных или ультрафиолетовых лучей вызывает изменения в удельном сопротивлении или генерирует электродвижущую силу посредством внутреннего фотоэффекта. Фотоэмиссионные трубки (фотоэлементы), работа которых основана на внешнем фотоэффекте (фотоэмиссии), относятся к товарной позиции 8540. Главными типами фоточувствительных полупроводниковых приборов являются: (1) Фоторезисторы (светочувствительные резисторы), обычно состоящие из двух электродов, между которыми находится полупроводниковый материал (сульфид кадмия, сульфид свинца и т.д.), электрическое сопротивление которого изменяется от интенсивности излучения, падающего на элемент. Эти элементы используются в детекторах пламен и, в экспонометрах для автоматических камер, для подсчета перемещающихся объектов, для автоматических прецизионных измерительных устройств, в системах автоматического открывания дверей и т.д. (2) Фотогальванические элементы, которые превращают свет непосредственно в электрическую энергию без необходимости во внешнем источнике тока. Фотогальванические элементы на основе селена используются главным образом в люксметрах и экспонометрах. Фотогальванические элементы на основе кремния имеют более высокий квантовый вы ход и используются, в частности, в управляющем и регулирующем оборудовании, для обнаружения световых импульсов, в волоконно - оптических линиях связи и т.д.

Специальными категориями фотогальванических элементов являются: (i) Солнечные элементы, кремниевые фотогальванические элементы, которые превращают солнечный свет непосредственно в электрическую энергию. Они обычно используются в виде солнечных батарей в качестве источников электрической энергии, например, в ракетах или спутниках, используемых при исследовании космоса, для передатчиков, применяемых для спасения потерпевших в горах. В данную товарную позицию также включаются солнечные элементы, собранные или не собранные в модули, вмонтированные или не вмонтированные в панели. Однако в данную товарную позицию не включаются панели или модули, снабженные элементами, хотя и простыми (например, диодами для регулирования направления тока), которые подают энергию непосредственно, например, на двигатель, электролизер ( товарная позиция 8501). (ii) Фотодиоды (германиевые, кремниевые и т.д.), характеризуемые изменением электрического сопротивления при падении световых лучей на p -n-переход. Они используются в автоматической обработке информации (считывание, запоминание информации), в качестве фотокатодов в некоторых электронных трубках, в радиационных пирометрах и т.д. Фототранзисторы и фототиристоры принадлежат к этой категории фотоприемников. Приборы этой категории отличаются, будучи собранными, от диодов, транзисторов и тиристоров вышеприведенного пункта (А) своим корпусом, который является частично прозрачным для обеспечения возможности прохождения света. (iii) Оптроны и фотореле, состоящие из электролюминесцентных диодов в сочетании с фотодиодами, фототранзисторами или фототиристорами. Фоточувствительные полупроводниковые приборы включаются в данную товарную позицию независимо от того, представлены ли они собранными (например, с их электродами - выводами или соединительными проводниками), в корпусе или несобранными. (В) СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ ДИОДЫ (LED) Светоизлучающие диоды (LED) или электролюминесцентные диоды (на основе, inter alia, арсенида галлия или фосфида галлия) являются устройствами, которые преобразуют электрическую энергию в видимое, инфракрасное или ультрафиолетовое излучение. Они используются, например, для отображения или передачи информации в системах управления. Лазерные диоды излучают луч когерентного света и используются, например, при обнаружении ядерных частиц, в оборудовании для измерения высоты или для телеметрии, в системах связи, использующих волоконную оптику. (Г) ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ КРИСТАЛЛЫ В СБОРЕ К ним относятся в основном кристаллы титаната бария (включая поликристаллические поляризованные элементы титаната бария), кристаллы титаната цирконата свинца или другие кристаллы товарной позиции 38 24 (см. соответствующие пояснения), или кристаллы кварца или турмалина. Они используются в микрофонах, громкоговорителях, ультразвуковой аппаратуре, колебательных контурах стабилизированной частоты и т.д. Они относятся к данной товарной позиции только в случае, если они в сборе. Они обычно выполняются в виде пластин, прутков, дисков, колец и т.д. и должны, по меньшей мере, снабжаться электродами или электрическими соединениями. Они могут быть покрыты графитом, лаком и т.д. или смонтированы на опорах, и они часто находятся внутри баллона (например, металлического короба, стеклянной колбы). Если, однако, из-за добавки других компонентов законченное изделие (сборка плюс кристалл) не может больше рассматриваться просто как собранный

кристалл и иден тифицируется как специфическая часть машины или оборудования, то такая сборка классифицируется как часть машины или рассматриваемого оборудования: например, пьезоэлектрические элементы для микрофонов или громкоговорителей ( товарная позиция 8518), звукоснимателей ( товарная позиция 85 22), элементы датчика (чувствительные элементы) ультразвуковых приборов для измерения толщины или обнаружения дефектов (обычно классифицируются в соответствии с примечанием 2 (б) к группе 90 или в товарной позиции 9033 в зависимости от конкретного случая ), кварцевые резонаторы для электронных часов (товарная позиция 9114). В данную товарную позицию также не включаются несобранные пьезоэлектрические кристаллы (в основном товарная позиция 3824, 7103 или 7104). ЧАСТИ При условии соблюдения общих положений, относящихся к классификации частей (см. общие положения к разделу XVI), части товаров данной товарной позиции включаются в данную товарную позицию. Пояснение к субпозиции. Субпозиция 8541 21 Мощность рассеивания транзистора измеряется при приложении рабочего напряжения к прибору и измерении мощности рассеивания при температуре корпуса до 25 °C. Например, если транзистор способен выдерживать длительный ток нагрузки в 0,2 А при рабочем напряжении в 5 В, при поддержании температуры корпуса 25 °C, его мощность рассеивания составит 1 Вт (ток (в амперах) х напряжение (в вольтах) = мощность (в ваттах)). Для транзисторов с элементом для отвода тепла (например, лепестком, металлическим корпусом) опорной температурой в 25 °C будет температура днища или корпуса, в то время как для других транзисторов (например, с простым пластмассовым корпусом) применима комнатная температура.

Примечания:

1. В данную группу не включаются:

(а) одеяла, матрацы, подушки, грелки для ног, с электроподогревом или аналогичные изделия; одежда, обувь или наушники или другие предметы с электроподогревом, используемые человеком;

(б) стеклянные изделия товарной позиции 7011;

(в) машины и аппаратура товарной позиции 8486;

(г) вакуумные аппараты, используемые в медицинских, хирургических, стоматологических или ветеринарных областях науки (товарная позиция 9018); или

(д) мебель с электроподогревом группы 94.

2. В товарные позиции 8501 – 8504 не включаются товары товарной позиции 8511, 8512, 8540, 8541 или 8542.

Однако ртутно-дуговые выпрямители с металлическими резервуарами включаются в товарную позицию 8504.

3. В товарной позиции 8507 термин «электрические аккумуляторы» распространяется на электрические аккумуляторы, представленные с дополнительными компонентами, которые способствуют выполнению функции аккумулятора по хранению и снабжению энергией или защищают его от повреждения, такие как электрические разъемы, терморегуляторы (например, терморезисторы) и устройства защиты. Они могут также включать часть защитного кожуха товаров, в которых они будут использоваться.

4. В товарную позицию 8509 включаются только следующие виды электромеханических машин, обычно используемых в домашнем обиходе:

(а) полотеры, измельчители пищевых продуктов, миксеры и соковыжималки для фруктов или овощей, имеющие любую массу;

(б) другие машины массой не более 20 кг.

Однако данная товарная позиция не включает вентиляторы или вентиляционные или рециркуляционные вытяжные колпаки или шкафы с вентилятором, с фильтрами или без фильтров (товарная позиция 8414), центробежные сушилки для белья (товарная позиция 8421), посудомоечные машины (товарная позиция 8422), бытовые стиральные машины (товарная позиция 8450), валковые или другие гладильные машины (товарная позиция 8420 или 8451), швейные машины (товарная позиция 8452), электрические ножницы (товарная позиция 8467) или электронагревательные приборы (товарная позиция 8516).

5. В товарной позиции 8517 термин «смартфоны» означает телефоны для сотовых сетей связи, оснащенные мобильной операционной системой, предназначенной для выполнения функций вычислительной машины, таких как загрузка и одновременная работа нескольких приложений, включая сторонние приложения, независимо от того встроены в них другие компоненты, такие как цифровые камеры и навигационные системы, или не встроены.

6. В товарной позиции 8523:

(a) «твердотельные энергонезависимые устройства хранения данных» (например, «карты флэш-памяти» или «карты электронной флэш-памяти») означают устройства хранения данных с соединительным разъемом, содержащие в одном корпусе одно или несколько устройств флэш-памяти (например, «флэш-ЭС ППЗУ») в виде интегральных схем, установленных на печатной плате. Они могут включать в свой состав контроллер в виде интегральной схемы и дискретные пассивные компоненты, такие как конденсаторы и резисторы;

(б) термин «интеллектуальные карточки» означает карточки, которые имеют одну или несколько электронных интегральных схем (микропроцессор, запоминающее устройство с произвольной выборкой (ЗУПВ) или постоянное запоминающее устройство (ПЗУ)) в виде кристаллов. Данные карточки могут иметь контакты, магнитную полоску или встроенную антенну, но они не содержат никаких других активных или пассивных элементов.

7. В товарной позиции 8524 выражение «модули с плоской дисплейной панелью» относится к устройствам или аппаратам для отображения информации, оснащенным как минимум дисплейным экраном, которые сконструированы для встраивания в изделия других товарных позиций перед использованием. По форме дисплейные экраны таких модулей могут быть плоскими, изогнутыми, гибкими, складывающимися, растягивающимися или других форм. Модули с плоской дисплейной панелью могут включать в себя дополнительные компоненты, в том числе необходимые для приема видеосигналов и их распределения по пикселям экрана. В товарную позицию 8524, однако, не включаются дисплейные модули, оснащенные компонентами для преобразования видеосигналов (например, интегральной схемой преобразования видеоформата, интегральной схемой декодера или процессором приложений), или иным способом принявшие характер изделий других товарных позиций.

При классификации модулей с плоской дисплейной панелью, указанных в данном примечании, товарная позиция 8524 имеет преимущество перед любой другой товарной позицией Номенклатуры.

8. В товарной позиции 8534 термин «схемы печатные» означает схемы, выполненные путем формирования на изолирующей подложке с помощью любого процесса печати (например, гальванизацией, травлением) или с помощью «пленочной» технологии проводников, контактов или других печатных элементов (например, индуктивностей, резисторов, емкостей), отдельных или соединенных в определенном порядке, за исключением элементов, которые способны создавать, выпрямлять, модулировать или усиливать электрический сигнал (например, полупроводниковых элементов).

Термин «схемы печатные» не включает в себя схемы, объединенные с элементами, отличными от тех, которые получены в процессе печатания, а также отдельные дискретные резисторы, конденсаторы или индуктивности. Однако печатные схемы могут быть оборудованы соединительными элементами, изготовленными по иной, чем печатная, технологии.

Тонко- или толстопленочные схемы, в которых использованы пассивные и активные элементы, полученные в ходе того же технологического процесса, включаются в товарную позицию 8542.

9. В товарной позиции 8536 термин «соединители для волокон оптических, волоконно-оптических жгутов или кабелей» означает соединители, которые просто механически соединяют концы оптических волокон в системе цифровой линии связи. Они не выполняют никаких других функций, таких как усиление, восстановление или изменение сигнала.

10. В товарную позицию 8537 не включаются беспроводные инфракрасные устройства для дистанционного управления телевизионными приемниками или другим электрооборудованием (товарная позиция 8543).

11. В товарной позиции 8539 выражение «источники света светодиодные (LED)» охватывает:

(a) «модули светодиодные (LED)», представляющие собой электрические источники света на основе светодиодов (LED), соединенных в электрические цепи, и содержащие дополнительные компоненты такие, как электрические, механические, термические или оптические элементы. Для подачи или контроля питания эти модули также содержат дискретные активные элементы, дискретные пассивные элементы или изделия товарной позиции 8536 или 8542. Модули светодиодные (LED) не оснащены цоколем, облегчающим установку или замену в светильнике, и обеспечивающим механический и электрический контакт;

(б) «лампы светодиодные (LED)», представляющие собой электрические источники света, содержащие один или несколько модулей светодиодных (LED), содержащих дополнительные компоненты такие, как электрические, механические, термические или оптические элементы. Отличие модулей светодиодных (LED) от ламп светодиодных (LED) заключается в том, что последние имеют цоколь, облегчающий установку или замену в светильнике, и обеспечивающий механический и электрический контакт.

12. В товарных позициях 8541 и 8542:

(a) (i) «приборы полупроводниковые» означают полупроводниковые приборы, работа которых основана на изменении их сопротивления под действием электрического поля, или преобразователи на основе полупроводников.

Полупроводниковые приборы могут также содержать сборку из множества элементов, независимо от того снабжены ли приборы активными и пассивными вспомогательными функциями или не снабжены.

Для целей данного определения «преобразователи на основе полупроводников» представляют собой датчики на основе полупроводников, приводы на основе полупроводников, резонаторы на основе полупроводников и генераторы на основе полупроводников, являющиеся разновидностями дискретных приборов на основе полупроводников, выполняющих заданную функцию и способных преобразовывать любые физические или химические явления или воздействия в электрический сигнал, или электрический сигнал в какое-либо физическое явление или действие.

Все элементы преобразователей на основе полупроводников неразрывно объединены между собой, а также могут содержать неразрывно присоединенные к ним материалы, необходимые для их конструкции или функционирования.

Указанные ниже выражения имеют следующие значения:

(1) «на основе полупроводника» означает созданные или изготовленные на полупроводниковой подложке или изготовленные из полупроводниковых материалов, по полупроводниковой технологии, в которой полупроводниковая подложка или материал играют важнейшую и незаменимую роль в выполнении преобразователем его функции, работа которого основывается на свойствах полупроводника, включая физические, электрические, химические и оптические свойства;

(2) «физические или химические явления» относятся к явлениям, таким как давление, акустические волны, ускорение, вибрация, движение, ориентация, напряжение, напряженность магнитного поля, напряженность электрического поля, свет, радиоактивность, влажность, расход, концентрация химических веществ и т.д.;

(3) «датчик на основе полупроводника» представляет собой тип полупроводникового прибора, состоящего из микроэлектронных или механических структур, которые создаются в массе или на поверхности полупроводника, и имеющего функцию определения величин физического или химического воздействия и их преобразования в электрические сигналы, вызванные изменением электрических свойств или смещением механической структуры.

(4) «привод на основе полупроводника» представляет собой тип полупроводникового прибора, состоящего из микроэлектронных или механических структур, которые создаются в массе или на поверхности полупроводника, и имеющего функцию преобразования электрических сигналов в физическое движение;

(5) «резонатор на основе полупроводника» представляет собой тип полупроводникового прибора, состоящего из микроэлектронных или механических структур, которые создаются в массе или на поверхности полупроводника, и имеющего функцию генерирования механических или электрических колебаний заданной частоты, зависящей от физической геометрии этих структур, реагирующих на внешний входной сигнал;

(6) «генератор на основе полупроводника» представляет собой тип полупроводникового прибора, состоящего из микроэлектронных или механических структур, которые создаются в массе или на поверхности полупроводника, и имеющего функцию генерирования механических или электрических колебаний заданной частоты, зависящей от физической геометрии этих структур;

(ii) «светодиоды (LED)» представляют собой полупроводниковые приборы на основе полупроводниковых материалов, преобразующие электрическую энергию в видимое, инфракрасное или ультрафиолетовое излучение, независимо от того соединены они электрически между собой или не соединены, а также объединены с защитными диодами или не объединены. Светодиоды (LED) товарной позиции 8541 не содержат компоненты, предназначенные для обеспечения электропитанием или контроля электропитания;

(б) «схемы электронные интегральные»:

(i) монолитные интегральные схемы, в которых элементы схемы (диоды, транзисторы, резисторы, конденсаторы, индуктивности и т.д.) выполняются в массе (главным образом) и на поверхности полупроводника или сложного полупроводникового материала (например, легированного кремния, арсенида галлия, силикогермания, фосфида индия) и неотделимо связаны;

(ii) гибридные интегральные схемы, в которых пассивные элементы (резисторы, конденсаторы, индуктивности и т.д.), выполненные с помощью процессов тонко- или толстопленочной технологии, и активные элементы (диоды, транзисторы, монолитные интегральные схемы и т.д.), полученные с помощью процессов полупроводниковой технологии, соединяются в единое неразделимое целое посредством межэлементных соединений или соединительных кабелей на одной изолирующей подложке (стекло, керамика и т.д.). Такие схемы могут также содержать дискретные компоненты;

(iii) многокристальные интегральные схемы, состоящие из двух или более соединенных между собой монолитных интегральных схем, неразделимо объединенных в единое целое, расположенных или не расположенных на одной или нескольких изолирующих подложках, имеющие или не имеющие рамки с выводами, но не содержащие никаких других активных или пассивных элементов;

(iv) многокомпонентные интегральные схемы, состоящие из одной или более монолитных, гибридных или многокристальных интегральных схем, объединенных, по крайней мере, с одним из следующих компонентов: датчиками на основе кремния, приводами на основе кремния, генераторами на основе кремния, резонаторами на основе кремния или их комбинациями, или компонентами, выполняющими функции изделий, классифицируемых в товарных позициях 8532, 8533, 8541, или индукторами, классифицируемыми в товарной позиции 8504, неразделимо объединенные в единое целое как интегральная схема, представляющая собой компонент, устанавливаемый на печатной плате или другом носителе, путем подключения к контактам, проводникам, шариковым выводам, заземлениям, выводам или контактным площадкам.

В данном определении:

(1) «компоненты» могут быть дискретными, произведенными независимо, затем установленными на остальную часть многокомпонентной интегральной схемы или интегрированными в другие компоненты;

(2) «на основе кремния» означает, что созданы на кремниевой подложке, или произведены из кремния, или изготовлены на кристалле интегральной схемы;

(3) (a) «датчики на основе кремния» состоят из микроэлектронных или механических структур, которые создаются в массе или на поверхности полупроводника и имеют функцию обнаружения физических или химических явлений и их преобразования в электрические сигналы, вызванные изменением электрических свойств или смещением механической структуры. «Физические или химические явления» относятся к явлениям, таким как давление, акустические волны, ускорение, вибрация, движение, ориентация, напряжение, напряженность магнитного поля, напряженность электрического поля, свет, радиоактивность, влажность, расход, концентрация химических веществ и т.д.;

(б) «приводы на основе кремния» состоят из микроэлектронных и механических структур, которые создаются в массе или на поверхности полупроводника, и, которые имеют функцию преобразования электрических сигналов в физическое движение;

(в) «резонаторы на основе кремния» представляют собой компоненты, которые состоят из микроэлектронных или механических структур, которые создаются в массе или на поверхности полупроводника, и, которые имеют функцию генерирования механических или электрических колебаний заданной частоты, зависящей от физической геометрии этих структур, реагирующих на внешний входной сигнал;

(г) «генераторы на основе кремния» являются активными компонентами, которые состоят из микроэлектронных или механических структур, которые создаются в массе или на поверхности полупроводника, и, которые имеют функцию генерирования механических или электрических колебаний заданной частоты, зависящей от физической геометрии этих структур.

При классификации изделий, указанных в данном примечании, товарные позиции 8541 и 8542 имеют преимущество перед любой другой товарной позицией Номенклатуры, которая может включать эти изделия в соответствии, в частности, с их функцией, за исключением товарной позиции 8523.

Примечания к субпозициям:

1. В субпозицию 8525 81 включаются только высокоскоростные телевизионные камеры, цифровые камеры и записывающие видеокамеры, обладающие одной или несколькими из следующих характеристик:

– скорость записи более 0,5 мм в микросекунду;

– временное разрешение 50 наносекунд или менее;

– кадровая частота более 225 000 кадров в секунду.

2. В субпозиции 8525 82 классифицируются радиационно-стойкие или радиационно-защищенные телевизионные камеры, цифровые камеры и записывающие видеокамеры, разработанные или экранированные для возможности функционирования в среде с высоким уровнем радиации. Конструкция таких камер позволяет противостоять без ухудшения рабочих характеристик общей дозе радиации как минимум в 50 х 10 Гр (кремний) (5 х 10 рад (кремний)).

3. В субпозицию 8525 83 включаются телевизионные камеры, цифровые камеры и записывающие видеокамеры ночного видения, использующие фотокатод для преобразования света в электроны, которые могут быть усилены и преобразованы для получения видимого изображения. В данную субпозицию не включаются тепловизионные камеры (как правило субпозиция 8525 89).

4. Субпозиция 8527 12 включает только кассетные плееры со встроенным усилителем, без встроенного громкоговорителя, способные работать без внешнего источника электропитания, с размерами, не превышающими 170 x 100 x 45 мм.

5. В субпозициях 8549 11 – 8549 19 «отработавшие первичные элементы, отработавшие первичные батареи и отработавшие электрические аккумуляторы» означают устройства не пригодные для использования в том качестве, для которого они предназначены, вследствие либо поломки, разрезов, износа или других причин, либо невозможности перезарядки.

Дополнительные примечания:

1. Подсубпозиции 8519 20 100 0, 8519 30 000 0 и 8519 89 110 0 не включают звуковоспроизводящую аппаратуру с лазерной считывающей системой.

2. Примечание к субпозиции 4 применимо при внесении соответствующих изменений к подсубпозициям 8519 81 150 0 и 8519 81 650.

3. Только в подсубпозициях 8528 71 150 0 и 8528 71 910 0 термин «модем» означает устройства или оборудование, которые модулируют исходящие и демодулируют входящие сигналы, такие как модемы V.90 или кабельные модемы и другие устройства, в которых используются аналогичные технологии для получения доступа в Интернет посредством WLAN, ISDN и Ethernet. Степень доступа к сети Интернет может быть ограничена поставщиком услуг.

Аппараты данных подсубпозиций должны обеспечивать двунаправленный коммуникационный процесс или двунаправленный поток информации в целях обеспечения интерактивного обмена информацией.

Дополнительные примечания Евразийского экономического союза:

1. В подсубпозиции 8542 31 100 1 термин «технологический процесс не более 32 нанометров» означает процесс производства электронных интегральных схем, в соответствии с технологическими нормами которого размеры затворов логических транзисторов микропроцессора не превышают 32 нанометра. Логические транзисторы являются основными вычислительными элементами микропроцессора, которые реализуют все арифметические и логические операции. Затвор является управляющим элементом транзистора. Данные о технологическом процессе изготовления микропроцессоров приводятся в технической документации производителя, которая может представляться его уполномоченным представителем в государствах – членах Евразийского экономического союза.

2. В подсубпозиции 8535 90 000 1 термин «проходные изоляторы» означает устройства, прикрепляемые к фланцам отсеков модулей, входящих в состав комплектного распределительного устройства элегазового (КРУЭ), и предназначенные для разделения газовых объемов между данными отсеками или объединения различных модулей КРУЭ в один газовый объем, а также соединения через встроенные в проходные изоляторы электроды проводников модулей КРУЭ между собой при сборке КРУЭ. Проходные изоляторы бывают газоплотными и негазоплотными. С помощью газоплотных изоляторов происходит разделение газовых объемов КРУЭ. С помощью негазоплотных изоляторов происходит объединение различных модулей КРУЭ в один газовый объем. Проходные изоляторы состоят из фланцевого кольца, литого изолятора и электродов, залитых в изолятор.